跟着公共电动汽车（EV）市集的速即膨胀，车载充电器（OBC）动作勾搭电动汽车与电网的重要组件，其销售额也在速即增长，2024年第一季度装机量达到了170.12万套，同比增长42.68%。

车载充电器不错平直从电源插座给与电力，为电动汽车提供方便的充电容颜，比拟于车外充电器，OBC因尺寸和资本等截止，对效果和可靠性的条款更高。现在，市集上的OBC大多遴选两级式结构，该结构中的功率治愈效果和可靠性在很猛进度上依赖于所使用的MOSFET性能。

现存车载充电器MOSFET的局限性

在OBC的期骗中，MOSFET的选型至关挫折，因为它们平直决定了充电器的效果、体积和可靠性。现在使用中的MOSFET器件主要濒临的问题包括高导通电阻和寄生电容问题。高导通电阻会导致导通损耗加多，这不仅会影响成立的效果，也会在成立驱动历程中产生罕见的热量，对成立的性能和寿命产生负面影响。关于硬开关期骗（如Boost PFC），寄生电容过高可能会在开关治愈历程中产生过高的应力，这会影响系统的可靠性。淌若处理不妥，这种颤动可能导致系统失稳，从而影响成立的性能和寿命。此外，一般情况下，内阻越低的MOSFET，其寄生电容CGD越大，这关于打算师来说是一个难以均衡的方程，需要在镌汰损耗和提高判辨性之间找到最好点。

延续决议

AK1CK2M040WAM-A MOSFET，可泛泛期骗于车载充电器

面对这些挑战，瑶芯推出的AK1CK2M040WAM-A碳化硅功率MOSFET以其超卓性能提供了有用的延续决议。这款MOSFET在漏源之间最大耐压值可达1200V，足以得志OBC的期骗需求。同期还有着较低的导通电阻，栅-源戒指电压为15V时——导通电阻仅有40mΩ，这显耀镌汰了导通损耗和开关损耗，从而提高了OBC的全体效果。更低的损耗意味着更少的热量产生，进而减少散热需求，使得车载充电器不错打算得愈加紧凑，使居品愈加便携。

图2 动态特质

它的寄生电容CGD为6.5pF，相对较小，在开关历程中，栅极和漏极之间的电荷交换较少，有助于减少米勒平台的捏续时辰，从而加速开关速率。此外，还具有低反向还原电荷（QRR=133nC），这进一步升迁了其在高频期骗中的进展，确保OBC在快速充电历程中的判辨驱动。

从资本效益的角度来看，AK1CK2M040WAM-A不仅提高了OBC的性能，还通过降呆板量损耗和优化系统打算，为电动汽车制造商提供了更具竞争力的延续决议。这款MOSFET的高效果和可靠性，使其成为电动汽车车载充电器打算的理念念遴荐，有助于推进更泛泛的电动汽车期骗和市集经受度。

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